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Si7431DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
0.30
6000
0.25
0.20
0.15
0.10
V GS = 6 V
V GS = 10 V
5000
4000
3000
2000
C iss
0.05
0.00
1000
0
C rss
C oss
0
10
20
30
40
50
0
30
60
90
120
150
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
2.2
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
V DS = 10 V
I D = 3.8 A
1.9
V GS = 10 V
I D = 3.8 A
1.6
6
1.3
4
1.0
2
0
0.7
0.4
0
15
30
45
60
75
90
- 50
- 25
0
2 5
5 0
7 5
100
125
150
40
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.30
0.25
0.20
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 3.8 A
0.15
T J = 25 °C
1
0.1
0.10
0.05
0.00
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V DS - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 73116
S10-2246-Rev. E, 04-Oct-10
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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